如果实际测试发现晶振激励功率过高，可以从振荡电路参数入手进行调整。

1. 增加阻尼电阻

在振荡电路中增加适当的串联阻尼电阻，可以降低反相器输出端施加到晶体上的有效驱动，从而降低晶振激励功率。但阻尼电阻并不是越大越好。电阻过大可能导致振荡裕量下降；起振时间增加；极端温度条件下不起振；电路对晶振参数变化更加敏感。因此，应通过实际测试确定合适的阻尼电阻值。

2. 优化负载电容

振荡电路中的负载电容会影响晶振的工作状态和振荡频率。适当调整外部负载电容，可以改变振荡回路的电气参数，从而影响晶振实际获得的驱动功率。负载电容不仅影响激励功率，也会影响晶振的负载频率和起振特性。不能为了降低激励功率而盲目减小负载电容，应综合考虑：负载电容CL；起振裕量；ESR；振荡频率；驱动功率；MCU/RTC芯片的振荡电路要求。