TS牵引值与晶体的等效参数和负载条件有关，常见影响因素包括：

标称负载电容CL

静态电容C0

动态电容C1

晶振标称频率和晶片结构

外围匹配电容C1、C2

芯片管脚、PCB走线和焊盘寄生电容

测试夹具、测试频率和测试方法

通常，标称负载电容较小的晶体会表现出更高的负载牵引灵敏度，但具体数值仍应以产品规格书或实测数据为准。