发布时间:2022-03-20 阅读次数:1056次
在晶体的两侧施加电压时,晶片就会产生机械振动。在某种频率下,振动的幅度会变大,这叫做压电谐振。
电阻(简称R)在电路中限制所在支路的电流大小的元件。晶振的电阻越小越好,如果过大,容易不起振,增加能耗。对晶振来讲,频率越高,晶片越薄,电阻就小。相反,频率低,晶片厚,电阻大。
阻抗(简称Z)对电路中电流其阻碍作用。实数部分为电阻R,虚数j部分为电抗。电容在电路中对交流电起阻碍作用叫做容抗1/wC;电感起阻碍作用叫做感抗wL。电容和电感总称为电抗。
晶体阻抗的斜率表示随着频率的增加,在特定的频率下,串联电容C和电感L之间的作用产生串联谐振电路,将晶体的阻抗降低到最小并等于R并得到串联谐振频率fs。当频率增加到串联谐振点上时,晶体相当于电感,直到频率达到并联谐振频率fp时,晶体两端的阻抗达到最大值。在fs和fp之间,当两个并联电容抵消时,晶体呈现电感性。小于fs或者大于fp时,晶体呈现电容性。
假设Rs = 6.4Ω, Cs = 0.09972pF, Ls = 2.546mH,Cp = 28.68pF, 计算晶体fs和fp:
可见fs和fp很相近,差值约为18khz。在这个狭小的频率范围内,晶体为感性,需要在KOAN晶振外部并联合适的电容,就可以组成并联谐振电路。这个合适的电容就是负载电容。