如果晶振ESR较高，可以从振荡器电路本身进行优化。

1. 确保振荡器具有足够的增益和负阻抗，以补偿晶振的等效损耗。如果振荡器本身驱动能力不足，即使晶振参数符合规格，也可能出现起振困难。

2. 合理选择负载电容CL。负载电容过大可能增加振荡器的负载，使起振裕量下降，因此需要根据晶振规格书以及实际PCB寄生电容进行合理匹配。

3. 控制晶振的驱动电平。驱动功率过高可能增加晶体内部损耗和老化风险，而驱动功率过低则可能造成振荡裕量不足。