降低晶振受到电磁干扰的影响，需要从器件、电路和PCB设计多个方面进行优化。在PCB设计中，应尽量缩短晶振与MCU之间的连接走线，减少晶振区域的寄生参数，并使晶振远离高速数字信号线、开关电源和其他强干扰源。在电路设计中，应根据晶振规格书合理选择负载电容、反馈电阻和其他外围参数，确保振荡器具有足够的起振裕量，同时避免过高的驱动功率。

对于电源，应保证晶振或振荡电路获得稳定、低噪声的供电，并根据芯片和晶振的推荐设计合理配置去耦电容。如果系统对EMI要求较高，还可以根据具体应用选择具有扩频功能的晶振。扩频晶振通过对输出频率进行一定范围的调制，使能量分散到更宽的频率范围，从而降低特定频率点的能量集中，有助于改善EMI性能。