什么参数会影响晶振的近端和远端噪声?
其中:谐振电阻R,负电阻Rˉ、动态电感L、动态电容C1、频率ω、k为常数(12~30)。 2. 负性阻抗(Rˉ):KOAN振荡器的负性阻抗通常设计为晶体谐振电阻的3至20倍,这样可以有效加快起振过程并提高振荡的稳定性。负性阻抗的倍数越高,起振速度越快。
其中:gm为跨导,与振荡IC的设计相关。 在负载电容CL较小的情况下,增加gm的值可以提高负性阻抗,从而加快起振。 3. 负载电容(CL):负载电容的大小不仅影响振荡器的负性阻抗,还会对近端和远端相噪带来不同的影响:
小的CL:较小的负载电容使负性阻抗变大,起振速度更快,牵引量更大,但同时也更容易受到杂散电容的影响。这对近端相噪有利,但可能增加远端相噪。
大的CL:较大的负载电容会减小负性阻抗,导致起振速度较慢,但杂散电容的影响较小,有助于提升远端相噪的稳定性,可能对近端相噪不利。
发表于 2025-01-10 13:09 | 查看所有
沙发KOAN晶振有E5052B信号分析仪器(相位噪声和抖动)、S&A280B(振荡器)、S&A250B(谐振器)测试仪器,以及高低温箱,抗冲击试验设备。能够检测温度、负载和功率电压变化条件下的频率稳定性。